Difusividad

    Parámetro característico de cada cristal semiconductor y de cada portador, que expresa la proporcionalidad entre la densidad de corriente y el gradiente de concentración de portadores de carga según la ley de Fick y debido al fenómeno de la difusión. Como es característico de la partícula que se difunde, habrá una difusividad propia para electrones y para huecos.

Difusividad Ge Si
electrones

10,1·10-3 m2/s

3,5·10-3 m2/s

huecos

4,9·10-3 m2/s

1,3·10-3 m2/s

Varía con la temperatura según la relación de Einstein:

en la que Dn y Dp son las difusividades de electrones y huecos, mn y mp las movilidades de electrones y huecos, k la constante de Boltzmann (1,38066·10-23 J/K), T la temperatura absoluta y qe la carga del electrón. De este modo, a 300 K el valor de VT (potencial de temperatura) es de 26 mV.

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