P1

P1. Halla la concentración de electrones y huecos en el silicio en las circunstancias siguientes:

a) Silicio puro a 300 K.

b) A 300 K dopado con arsénico en una concentración de 5·10²⁰ m^-3.

c) A 300 K dopado con indio en una concentración de 2·10²⁰ m^-3.

d) Silicio puro a 500 K (n_i (500 K) = 3,7× 10²⁰ m^-3).

e) A 500 K dopado con arsénico en una concentración de 5·10²⁰ m^-3.

f) A 500 K dopado con indio en una concentración de 2·10²⁰ m^-3.