P4. Halla la resistividad del silicio en las circunstancias siguientes (para ello, desprecia la disminución de la movilidad de los portadores de carga con la temperatura):
a) Silicio puro a 300 K.
b) A 300 K dopado con indio en una concentración de 5·1020 m-3.
c) Silicio puro a 500 K (ni (500 K) = 3,7·1020 m-3).
d) A 500 K dopado con indio en una concentración de 5·1020 m-3.