Difusividad
Parámetro característico de cada cristal semiconductor y de cada portador, que expresa la proporcionalidad entre la densidad de corriente y el gradiente de concentración de portadores de carga según la ley de Fick y debido al fenómeno de la difusión. Como es característico de la partícula que se difunde, habrá una difusividad propia para electrones y para huecos.
| Difusividad | Ge | Si |
| electrones | 10,1·10-3 m2/s |
3,5·10-3 m2/s |
| huecos | 4,9·10-3 m2/s |
1,3·10-3 m2/s |
Varía con la temperatura según la relación de Einstein:
en la que Dn y Dp son las difusividades de electrones y huecos, mn y mp las movilidades de electrones y huecos, k la constante de Boltzmann (1,38066·10-23 J/K), T la temperatura absoluta y qe la carga del electrón. De este modo, a 300 K el valor de VT (potencial de temperatura) es de 26 mV.