| Propiedades del germanio y del silicio. | ||
|---|---|---|
Ge |
Si |
|
| Número atómico | 32 |
14 |
| Masa atómica (g/mol) | 72,6 |
28,08 |
| Radio atómico (nm) | 0,137 |
0,132 |
| Estructura electrónica | [Ar]4s23d104p2 |
[Ne]3s23p2 |
| Densidad (kg/m3) | 5323 |
2330 |
| Temperatura de fusión | 937,4 ºC |
1410 ºC |
| Calor específico (J/kg·ºC) | 309 |
677 |
| Concentración atómica (at/m3) | 4,42·1028 |
4,96·1028 |
| Concentración intrínseca a 300 K | 2,36·1019 m-3 |
1,5·1016 m-3 |
| Constante A (m-3·K-3/2) | 1,91·1021 |
4,92·1021 |
| Anchura banda prohibida a 300 K | 0,67 eV |
1,12 eV |
| Movilidad electrones a 300 K | 0,39 m2/Vs |
0,135 m2/Vs |
| Movilidad huecos a 300 K | 0,182 m2/Vs |
0,05 m2/Vs |
| Resistividad intrínseca a 300 K | 0,47 W m |
2300 W m |
| Difusividad electrones | 10,1·10-3 m2/s |
3,5·10-3 m2/s |
| Difusividad huecos | 4,9·10-3 m2/s |
1,3·10-3 m2/s |
| Permitividad eléctrica | 15,7 |
12 |
| Masa efectiva electrones | 0,5 m0 |
1,1 m0 |
| Masa efectiva huecos | 0,37 m0 |
0,59 m0 |