La resistividad es igual a la inversa de la conductividad, y ésta, para un semiconductor, viene dada por,

s = e (p µ_p + n µ_n)

donde e es la carga del electrón, p y n son respectivamente las concentraciones de huecos y electrones, y µ_p y µ_n sus movilidades. En este caso, puesto que se trata de un semiconductor intrínseco p = n, con lo que,

s = 1,6·10^-19·10²⁰(0,2 + 0,06) = 4,16 W^-1m^-1