2.3 MICROSCOPIO ELECTRICO DE BARRIDO (MEB).
Hemos visto en el microscopio óptico las variables del poder de resolución. Para casos extremos del campo usual, n = 1.9, l = 4000 Å y u = 72º, llegamos a un poder de resolución máximo del orden de 0.15 micras.
Con el microscopio electrónico se puede aumentar el poder de resolución utilizando la onda asociada al haz corpuscular homocinético producido por los electrones acelerados en un campo eléctrico. La longitud de onda es:

l = h/m v (3.6)

siendo: h = la constante de Planck.
m = La masa del electrón.
v = su velocidad.
El valor de l varía con la tensión de aceleración electrónica aplicada. Para una tensión de 50 KV, este valor es de 0.055 Å; para una tensión de 100 KV es de 0.0387 Å, y cuando la tensión es de 10⁶ voltios, caso excepcional, l = 0.0123 Å.
El poder de resolución viene limitado, sin embargo, por el pequeño valor de la abertura del microscopio, impuesto por las aberraciones de las lentes electrónicas. Puede alcanzar actualmente 5 e incluso 3 Å. Esta débil abertura proporciona al microscopio electrónico una gran profundidad de campo, que es otra de sus ventajas frente al óptico.
Existen diferentes tipos de microscopios electrónicos, entre los que destacamos el de transmisión, TEM, y el de barrido o scanning, MEB, SEM.
En el microscopio de transmisión, el haz electrónico debe atravesar la probeta a examen, lo que no es posible en las probetas metálicas normales.

Figura 3.2. Esquema del microscopio electrónico y óptico.

Por contra, en el microscopio de barrido, usado en metalografía, la imagen es reconstruida, punto por punto, sobre la pantalla de un oscilógrafo catódico, mientras el objeto es barrido sincrónicamente por una sonda electrónica fina, con un diámetro entre los 1000 y 100 Å. El brillo de la imagen del oscilógrafo viene graduado por una señal constituida generalmente por electrones secundarios y retrodispersados. En la figura 3.2 se observa la similitud funcional entre los microscopios óptico y electrónico.