2.3 MICROSCOPIO ELECTRONICO DE BARRIDO
(MEB) El microscopio electrónico
puede aumentar el poder de resolución utilizando la onda
asociada al haz corpuscular homocinético producido por
los electrones acelerados en un campo eléctrico, cuya
longitud de onda viene expresada por l
= h/m v, siendo h la constante de Planck, m la masa del electrón,
y, v la velocidad del mismo. El valor de l
varía con la tensión de aceleración electrónica
aplicada. Para una tensión de 50 KV, este valor es de
0.055 Å; para una tensión de 100 KV es de 0.0387
Å, y cuando la tensión es de 106
voltios, caso excepcional, l = 0.0123
Å. Para casos extremos de la microscopía
óptica, donde n = 1.9, l =
4000 Å y u = 72°, llegamos a un poder de resolución
máximo del orden de 0.15 micras. En microscopía
electrónica, el poder de resolución puede alcanzar
actualmente 5 e incluso 3 Å, aunque viene limitado por
el pequeño valor de la abertura del microscopio. Esta
débil abertura proporciona al microscopio electrónico
una gran profundidad de campo, que es otra de sus ventajas frente
al óptico. Existen diferentes tipos de microscopios
electrónicos, entre los que destacamos el de transmisión,
TEM, y el de barrido o scanning, MEB, SEM. En el microscopio
de transmisión, el haz electrónico debe atravesar
la probeta a examen, lo que no es posible en las probetas metálicas
normales. Por contra, en el microscopio de barrido, usado en
metalografía, la imagen es reconstruida, punto por punto,
sobre la pantalla de un oscilógrafo catódico, mientras
el objeto es barrido sincrónicamente por una sonda electrónica
fina, con un diámetro entre los 1000 y 100 Å.
Microscopio electrónico de
barrido
Microscopio electrónico de
barrido
Figura 3.7. Microscopios electrónicos: a)
de barrido, y b) de transmisión.