2.3 MICROSCOPIO ELECTRONICO DE BARRIDO (MEB)
El microscopio electrónico puede aumentar el poder de resolución utilizando la onda asociada al haz corpuscular homocinético producido por los electrones acelerados en un campo eléctrico, cuya longitud de onda viene expresada por l = h/m v, siendo h la constante de Planck, m la masa del electrón, y, v la velocidad del mismo.
El valor de l varía con la tensión de aceleración electrónica aplicada. Para una tensión de 50 KV, este valor es de 0.055 Å; para una tensión de 100 KV es de 0.0387 Å, y cuando la tensión es de 106 voltios, caso excepcional, l = 0.0123 Å.
Para casos extremos de la microscopía óptica, donde n = 1.9, l = 4000 Å y u = 72°, llegamos a un poder de resolución máximo del orden de 0.15 micras. En microscopía electrónica, el poder de resolución puede alcanzar actualmente 5 e incluso 3 Å, aunque viene limitado por el pequeño valor de la abertura del microscopio. Esta débil abertura proporciona al microscopio electrónico una gran profundidad de campo, que es otra de sus ventajas frente al óptico.
Existen diferentes tipos de microscopios electrónicos, entre los que destacamos el de transmisión, TEM, y el de barrido o scanning, MEB, SEM. En el microscopio de transmisión, el haz electrónico debe atravesar la probeta a examen, lo que no es posible en las probetas metálicas normales. Por contra, en el microscopio de barrido, usado en metalografía, la imagen es reconstruida, punto por punto, sobre la pantalla de un oscilógrafo catódico, mientras el objeto es barrido sincrónicamente por una sonda electrónica fina, con un diámetro entre los 1000 y 100 Å.

 

 
Microscopio electrónico de
barrido
 Microscopio electrónico de
barrido
Figura 3.7. Microscopios electrónicos: a) de barrido, y b) de transmisión.