Unión P-N
En una unión entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusión hacia la zona n y los electrones de la zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unión, huecos y electrones se recombinan, quedando una estrecha zona de transición con una distribución de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones.
Se
crea, entonces un campo eléctrico que produce corrientes de desplazamiento, que
equilibran a las de difusión. A la diferencia de potencial correspondiente a este campo
eléctrico se le llama potencial de contacto V0.
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