La resistividad de un material semiconductor viene dada por:

De este modo, en cada apartado del problema tendremos:

a) Al tratarse de silicio puro, la concentración de electrones y huecos es la misma, e igual a la concentración intrínseca a la temperatura dada, con lo que,

b) Puesto que la concentración de impurezas es mucho más grande que la concentración intrínseca, y se trata de una impureza aceptora, tendremos que la concentración de huecos es aproximadamente igual a la de impurezas,

p » 5·10²⁰ m^-3

Como esta concentración es mucho más grande que la concentración de electrones, en el cálculo de la resistividad podemos despreciar el término que depende de la concentración de electrones, con lo que,

c) Al igual que en el apartado a) tenemos que p = n = n_i, de modo que,

d) Aplicando la ley de acción de masas, y la ley de la neutralidad eléctrica tenemos que,

cuya solución es,

p = 6,95·10²⁰ m^-3

n = 1,97·10²⁰ m^-3

con lo que la resistividad viene dada por,